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FDS8928A

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

FDS8928A Technisches Datenblatt

nicht konform

FDS8928A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.56594 -
5,000 $0.53920 -
12,500 $0.52011 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V, 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A, 4A
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900pF @ 10V
Leistung - max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

IRF3575DTRPBF
IRF7901D1TR
SI4830ADY-T1-E3
SI7270DP-T1-GE3
IRF7342QTRPBF
SI7844DP-T1-E3
FDW2520C
FDW2520C
$0 $/Stück
CPH6616-TL-E
CPH6616-TL-E
$0 $/Stück

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