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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | N and P-Channel |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30V, 20V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 5.5A, 4A |
rds ein (max) @ id, vgs | 30mOhm @ 5.5A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ ID | 1V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 28nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 900pF @ 10V |
Leistung - max. | 900mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Paket / Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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