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FDU044AN03L

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MOSFET N-CH 30V 21A/35A IPAK

FDU044AN03L Technisches Datenblatt

compliant

FDU044AN03L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
2806 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 118 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5160 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-PAK
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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