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FQPF33N10

FQPF33N10

FQPF33N10

MOSFET N-CH 100V 18A TO220F

FQPF33N10 Technisches Datenblatt

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FQPF33N10 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.88867 -
1195 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 52mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 41W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IRF9640LPBF
IRF9640LPBF
$0 $/Stück
DMP3099L-7
DIT120N08
FDC3612
FDC3612
$0 $/Stück
PSMN1R1-30EL,127
DI035N10PT
STB35N65M5
STB35N65M5
$0 $/Stück

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