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FQB7N65CTM

FQB7N65CTM

FQB7N65CTM

MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

FQB7N65CTM Technisches Datenblatt

compliant

FQB7N65CTM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.44000 $1.44
500 $1.4256 $712.8
1000 $1.4112 $1411.2
1500 $1.3968 $2095.2
2000 $1.3824 $2764.8
2500 $1.368 $3420
7686 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1245 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 173W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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