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RM40N200TI

RM40N200TI

RM40N200TI

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 200V 40A TO220F

RM40N200TI Technisches Datenblatt

nicht konform

RM40N200TI Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.76000 $0.76
500 $0.7524 $376.2
1000 $0.7448 $744.8
1500 $0.7372 $1105.8
2000 $0.7296 $1459.2
2500 $0.722 $1805
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 41mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

RQ3E180GNTB
PMPB215ENEAX
IXTH1N250
IXTH1N250
$0 $/Stück
SI9433BDY-T1-E3
FDS3590
FDS3590
$0 $/Stück
BUK7619-100B,118
BUK7619-100B,118
$0 $/Stück
FQB11N40TM
FDMC008N08C
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$0 $/Stück

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