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IXTH1N250

IXTH1N250

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IXYS

MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD

IXTH1N250 Technisches Datenblatt

compliant

IXTH1N250 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $41.37000 $41.37
500 $40.9563 $20478.15
1000 $40.5426 $40542.6
1500 $40.1289 $60193.35
2000 $39.7152 $79430.4
2500 $39.3015 $98253.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 2500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 40Ohm @ 750mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1660 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SI9433BDY-T1-E3
FDS3590
FDS3590
$0 $/Stück
BUK7619-100B,118
BUK7619-100B,118
$0 $/Stück
FQB11N40TM
FDMC008N08C
FDMC008N08C
$0 $/Stück
SQJA72EP-T1_BE3
IXTP180N10T
IXTP180N10T
$0 $/Stück

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