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FQB11N40TM

FQB11N40TM

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MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK

FQB11N40TM Technisches Datenblatt

nicht konform

FQB11N40TM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
8000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 480mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 147W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDMC008N08C
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$0 $/Stück
SQJA72EP-T1_BE3
IXTP180N10T
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$0 $/Stück
3LN03M-TL-E
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IXFH220N06T3
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NVTFS5C680NLWFTAG
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