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FQI11P06TU

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MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK

FQI11P06TU Technisches Datenblatt

compliant

FQI11P06TU Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.37000 $0.37
500 $0.3663 $183.15
1000 $0.3626 $362.6
1500 $0.3589 $538.35
2000 $0.3552 $710.4
2500 $0.3515 $878.75
5955 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 175mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 550 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 53W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262)
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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