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FQI4N90TU

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

FQI4N90TU Technisches Datenblatt

compliant

FQI4N90TU Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.13771 -
1502 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.3Ohm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262)
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

SI4134DY-T1-GE3
STP9NK70ZFP
FDB33N25TM
FDB33N25TM
$0 $/Stück
SIHD1K4N60E-GE3
R8002ANJFRGTL
APT19M120J
FDMS7580
FDMS7580
$0 $/Stück
DMTH6009LK3-13
MSJP20N65-BP

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