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FDB33N25TM

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MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

FDB33N25TM Technisches Datenblatt

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FDB33N25TM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.15578 $924.624
1,600 $1.06068 -
2,400 $0.98753 -
5,600 $0.95095 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 33A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2135 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 235W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIHD1K4N60E-GE3
R8002ANJFRGTL
APT19M120J
FDMS7580
FDMS7580
$0 $/Stück
DMTH6009LK3-13
MSJP20N65-BP
APT47M60J
IXFN320N17T2
IXFN320N17T2
$0 $/Stück
G86N06K
G86N06K
$0 $/Stück

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