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G86N06K

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N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,

G86N06K Technisches Datenblatt

nicht konform

G86N06K Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.16000 $1.16
500 $1.1484 $574.2
1000 $1.1368 $1136.8
1500 $1.1252 $1687.8
2000 $1.1136 $2227.2
2500 $1.102 $2755
2454 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 68A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 8.4mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2860 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 88W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

CSD18511KCS
CSD18511KCS
$0 $/Stück
STF26N60DM6
SIHH21N65EF-T1-GE3
FCD600N65S3R0
FCD600N65S3R0
$0 $/Stück
IRL620SPBF
IRL620SPBF
$0 $/Stück
FCPF190N60
FCPF190N60
$0 $/Stück
PSMN2R7-30PL,127
DMN26D0UT-7

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