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FCPF190N60

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F

SOT-23

FCPF190N60 Technisches Datenblatt

nicht konform

FCPF190N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.09000 $3.09
10 $2.80200 $28.02
100 $2.26670 $226.67
500 $1.78066 $890.33
1,000 $1.48903 -
1000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 199mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 74 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2950 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

PSMN2R7-30PL,127
DMN26D0UT-7
BUK7S1R2-40HJ
NTD60N02R-1G
NTD60N02R-1G
$0 $/Stück
IRFH5304TRPBF
RS1L180GNTB
IXTA08N120P
IXTA08N120P
$0 $/Stück

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