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FQP9N25

FQP9N25

FQP9N25

N-CHANNEL POWER MOSFET

FQP9N25 Technisches Datenblatt

nicht konform

FQP9N25 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.43000 $0.43
500 $0.4257 $212.85
1000 $0.4214 $421.4
1500 $0.4171 $625.65
2000 $0.4128 $825.6
2500 $0.4085 $1021.25
132000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 420mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

APTM100UM45FAG
2SK2803
2SK2803
$0 $/Stück
STB40NF20
STB40NF20
$0 $/Stück
APT6017JFLL
IRFPE30PBF
IRFPE30PBF
$0 $/Stück
STFI28N60M2
MIC94052YC6-TR

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