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FQPF2N30

FQPF2N30

FQPF2N30

MOSFET N-CH 300V 1.34A TO220F

FQPF2N30 Technisches Datenblatt

nicht konform

FQPF2N30 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
4057 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.34A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.7Ohm @ 670mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 130 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 16W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SI3407DV-T1-BE3
DMTH6016LK3-13
NTTFS1D2N02P1E
NTTFS1D2N02P1E
$0 $/Stück
FQD17N08LTF
DMN62D0LFB-7
SIHW70N60EF-GE3
IPB080N03L G

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