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FQPF8N90C

FQPF8N90C

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

SOT-23

FQPF8N90C Technisches Datenblatt

nicht konform

FQPF8N90C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.12238 -
5346 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.9Ohm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2080 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NTD25P03LT4G
NTD25P03LT4G
$0 $/Stück
IRL60S216
DMG3415UFY4Q-7
MMBF1374T1
MMBF1374T1
$0 $/Stück
SI8823EDB-T2-E1
IRF510PBF
IRF510PBF
$0 $/Stück
IRF1407PBF
SI3483CDV-T1-GE3

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