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FQPF9N25CT

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MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F

FQPF9N25CT Technisches Datenblatt

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FQPF9N25CT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.67129 -
1343 items
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 430mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 710 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXTA130N15X4-7
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$0 $/Stück
SIA485DJ-T1-GE3
IXTA10P50P
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$0 $/Stück
TPS1101PWR
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$0 $/Stück
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NVD5C460NT4G
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