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HUF75631S3ST

HUF75631S3ST

HUF75631S3ST

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

compliant

HUF75631S3ST Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.33446 $1067.568
1,600 $1.22467 -
321 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 33A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 40mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 79 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1220 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 120W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIR494DP-T1-GE3
STH140N6F7-2
FDU6512A
IXTH88N30P
IXTH88N30P
$0 $/Stück
SIE874DF-T1-GE3
MTB15N06V
MTB15N06V
$0 $/Stück
STF12NK60Z
STF12NK60Z
$0 $/Stück
FDB8453LZ

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