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HUF75939S3ST

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HUF75939S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

nicht konform

HUF75939S3ST Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.31000 $2.31
500 $2.2869 $1143.45
1000 $2.2638 $2263.8
1500 $2.2407 $3361.05
2000 $2.2176 $4435.2
2500 $2.1945 $5486.25
800 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 152 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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