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HUF76113SK8

HUF76113SK8

HUF76113SK8

N-CHANNEL POWER MOSFET

HUF76113SK8 Technisches Datenblatt

compliant

HUF76113SK8 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
1960 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 585 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket US8
Paket / Koffer 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

NTD5867NL-1G
NTD5867NL-1G
$0 $/Stück
IXFX26N120P
IXFX26N120P
$0 $/Stück
BUK7631-100E,118
BUK7631-100E,118
$0 $/Stück
FDMC86184
FDMC86184
$0 $/Stück
IRF6717MTRPBF
DMT10H009SK3-13
BSC152N10NSFG
STP11NM60FDFP

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