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HUF76121P3

HUF76121P3

HUF76121P3

N-CHANNEL POWER MOSFET

HUF76121P3 Technisches Datenblatt

compliant

HUF76121P3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.40000 $0.4
500 $0.396 $198
1000 $0.392 $392
1500 $0.388 $582
2000 $0.384 $768
2500 $0.38 $950
26402 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 47A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 47A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 850 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SIHD6N65ET1-GE3
FKP252
FKP252
$0 $/Stück
STB57N65M5
STB57N65M5
$0 $/Stück
IXFK44N80P
IXFK44N80P
$0 $/Stück
IPD03N03LA G
FQAF6N80
SIHA21N60EF-E3

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