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HUF76129D3S

HUF76129D3S

HUF76129D3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

HUF76129D3S Technisches Datenblatt

nicht konform

HUF76129D3S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.54000 $0.54
500 $0.5346 $267.3
1000 $0.5292 $529.2
1500 $0.5238 $785.7
2000 $0.5184 $1036.8
2500 $0.513 $1282.5
24723 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1425 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 105W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-3 (DPAK)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IRFR9010TRLPBF
SI7625DN-T1-GE3
ZXM62P03E6TA
DMT6015LSS-13
FDMC8678S
STWA72N60DM2AG
IRF740ALPBF
IRF740ALPBF
$0 $/Stück
STP10LN80K5
SQJ840EP-T1_GE3

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