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HUF76132S3S

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HUF76132S3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

HUF76132S3S Technisches Datenblatt

nicht konform

HUF76132S3S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
4000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1650 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 120W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTGD4169FT1G
NTGD4169FT1G
$0 $/Stück
NTB8N50
NTB8N50
$0 $/Stück
FDS7766S
IXTT140P10T
IXTT140P10T
$0 $/Stück
APTC60SKM24T1G
VN10LPSTZ
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$0 $/Stück
STF10NM50N
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