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APTC60SKM24T1G

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MOSFET N-CH 600V 95A SP1

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APTC60SKM24T1G Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 95A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 47.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.9V @ 5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 300 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 462W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SP1
Paket / Koffer SP1
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Zugehörige Teilenummer

VN10LPSTZ
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G30N02T
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