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IRFB3607PBF

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MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB

IRFB3607PBF Technisches Datenblatt

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IRFB3607PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.14000 $1.14
10 $1.00000 $10
100 $0.78210 $78.21
500 $0.59152 $295.76
1,000 $0.48263 -
271 items
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3070 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

G30N02T
G30N02T
$0 $/Stück
SIR403EDP-T1-GE3
FQPF10N50CF
FQPF10N50CF
$0 $/Stück
SIHL620S-GE3
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$0 $/Stück
FQAF11N90C
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$0 $/Stück
NVB082N65S3F
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$0 $/Stück
NVD5C684NLT4G
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