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IAUS300N08S5N012ATMA1

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MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8

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IAUS300N08S5N012ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,800 $4.22542 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 300A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.8V @ 275µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 231 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 16250 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-HSOG-8-1
Paket / Koffer 8-PowerSMD, Gull Wing
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Zugehörige Teilenummer

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FQPF10N50CF
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SIHL620S-GE3
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NVB082N65S3F
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