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IRF621R

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IRF621R

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF621R Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF621R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.40000 $0.4
500 $0.396 $198
1000 $0.392 $392
1500 $0.388 $582
2000 $0.384 $768
2500 $0.38 $950
6837 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 800mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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