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IRF730B

IRF730B

IRF730B

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF730B Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF730B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
475473 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 73W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

DMN3010LSS-13
RQ6E050ATTCR
FCI25N60N
IXFN40N90P
IXFN40N90P
$0 $/Stück
NDS355AN
NDS355AN
$0 $/Stück
STD5P06VT4
STD5P06VT4
$0 $/Stück
SISA72DN-T1-GE3

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