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IRFS530A

IRFS530A

IRFS530A

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFS530A Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFS530A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.42000 $0.42
500 $0.4158 $207.9
1000 $0.4116 $411.6
1500 $0.4074 $611.1
2000 $0.4032 $806.4
2500 $0.399 $997.5
4315 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 5.35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 790 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 32W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STD110N8F6
STD110N8F6
$0 $/Stück
FDB6035L
FDS4675
FDS4675
$0 $/Stück
DMN2991UTQ-7
FDN359AN
FDN359AN
$0 $/Stück
AUIRFS3806
AUIRF1010ZL
APT34M60B

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