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IRFS730B

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N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFS730B Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFS730B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.27000 $0.27
500 $0.2673 $133.65
1000 $0.2646 $264.6
1500 $0.2619 $392.85
2000 $0.2592 $518.4
2500 $0.2565 $641.25
23487 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

APT10045B2LLG
FDB8443
FDB8443
$0 $/Stück
FKV550N
FKV550N
$0 $/Stück
FDP083N15A-F102
FDP083N15A-F102
$0 $/Stück
SIUD402ED-T1-GE3
APT20M18LVFRG
IXFH74N20P
IXFH74N20P
$0 $/Stück
FQI11N40TU
SI4420BDY-T1-E3

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