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IRFS830B

IRFS830B

IRFS830B

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFS830B Technisches Datenblatt

compliant

IRFS830B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.25000 $0.25
500 $0.2475 $123.75
1000 $0.245 $245
1500 $0.2425 $363.75
2000 $0.24 $480
2500 $0.2375 $593.75
20242 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1050 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 38W (Tj)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STF10N62K3
STF10N62K3
$0 $/Stück
BUK95180-100A,127
FQB34N20TM-AM002
FQB34N20TM-AM002
$0 $/Stück
IRFI740GLCPBF
NVHL072N65S3
NVHL072N65S3
$0 $/Stück
DMN61D8L-7
NTR2101PT1G
NTR2101PT1G
$0 $/Stück

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