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ISL9N306AP3

ISL9N306AP3

ISL9N306AP3

N-CHANNEL POWER MOSFET

ISL9N306AP3 Technisches Datenblatt

nicht konform

ISL9N306AP3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
55600 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3400 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

DMP2130L-7
SFU9034TU
STD12N50M2
STD12N50M2
$0 $/Stück
IXTH80N20L
IXTH80N20L
$0 $/Stück
IXTK120N65X2
IXTK120N65X2
$0 $/Stück
IXFN44N80Q3
IXFN44N80Q3
$0 $/Stück
CSD18533KCS
CSD18533KCS
$0 $/Stück
RF1S23N06LE
IRFB11N50APBF

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