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IXTH80N20L

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 80A TO247

IXTH80N20L Technisches Datenblatt

compliant

IXTH80N20L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $9.49167 $284.7501
2429 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6160 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 520W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTK120N65X2
IXTK120N65X2
$0 $/Stück
IXFN44N80Q3
IXFN44N80Q3
$0 $/Stück
CSD18533KCS
CSD18533KCS
$0 $/Stück
RF1S23N06LE
IRFB11N50APBF
FDP10AN06A0
RM40P07
RM40P07
$0 $/Stück

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