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NDS355N

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

NDS355N Technisches Datenblatt

compliant

NDS355N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.25319 -
6,000 $0.23686 -
15,000 $0.22052 -
30,000 $0.20909 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 85mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 245 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFK90N20Q
IXFK90N20Q
$0 $/Stück
SI3457BDV-T1-E3
PMV48XP/MI215
PMV48XP/MI215
$0 $/Stück
IXFE55N50
IXFE55N50
$0 $/Stück
SI2372DS-T1-GE3
IRF2804STRR
IXFH32N50
IXFH32N50
$0 $/Stück
NTD5407NG
NTD5407NG
$0 $/Stück
IRF6216PBF

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