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IXFE55N50

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B

IXFE55N50 Technisches Datenblatt

compliant

IXFE55N50 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $24.77200 $247.72
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 47A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 330 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

SI2372DS-T1-GE3
IRF2804STRR
IXFH32N50
IXFH32N50
$0 $/Stück
NTD5407NG
NTD5407NG
$0 $/Stück
IRF6216PBF
IRF7807TR
IXFN106N20
IXFN106N20
$0 $/Stück
IRFB16N50KPBF
IPB021N06N3G
NTD4808N-1G
NTD4808N-1G
$0 $/Stück

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