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IRF7807TR

IRF7807TR

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MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

IRF7807TR Technisches Datenblatt

compliant

IRF7807TR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SO
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

IXFN106N20
IXFN106N20
$0 $/Stück
IRFB16N50KPBF
IPB021N06N3G
NTD4808N-1G
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$0 $/Stück
IRFBC40LC
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$0 $/Stück
MTB52N06VL
MTB52N06VL
$0 $/Stück
SIR168DP-T1-GE3
SI7459DP-T1-GE3
STB12NM50N
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$0 $/Stück

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