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RF1S540SM

RF1S540SM

RF1S540SM

N-CHANNEL POWER MOSFET

RF1S540SM Technisches Datenblatt

compliant

RF1S540SM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 77mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIR482DP-T1-GE3
IRFR9014
IRFR9014
$0 $/Stück
IRFR220BTM
IRF7457TR
IRFR3708
BUK7907-55AIE,127
IRLL3303TR
FDA79N15
FDA79N15
$0 $/Stück
DKI03038
DKI03038
$0 $/Stück

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