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IRFR220BTM

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N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFR220BTM Technisches Datenblatt

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IRFR220BTM Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 800mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 390 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IRF7457TR
IRFR3708
BUK7907-55AIE,127
IRLL3303TR
FDA79N15
FDA79N15
$0 $/Stück
DKI03038
DKI03038
$0 $/Stück
IRF710STRL
IRF710STRL
$0 $/Stück
IRFBC40
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$0 $/Stück

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