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IRFBC40

IRFBC40

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

IRFBC40 Technisches Datenblatt

compliant

IRFBC40 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

PH2030AL,115
PH2030AL,115
$0 $/Stück
PHU11NQ10T,127
PHU11NQ10T,127
$0 $/Stück
SI2392DS-T1-GE3
IXTH152N085T
IXTH152N085T
$0 $/Stück
RSS070N05TB1
IXFR13N50
IXFR13N50
$0 $/Stück
ZXM64P035L3
SUD35N05-26L-E3

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