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SI2392DS-T1-GE3

SI2392DS-T1-GE3

SI2392DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

compliant

SI2392DS-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 126mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 196 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTH152N085T
IXTH152N085T
$0 $/Stück
RSS070N05TB1
IXFR13N50
IXFR13N50
$0 $/Stück
ZXM64P035L3
SUD35N05-26L-E3
IRFR3707TRL
STD38NH02L-1
SUM70N03-09CP-E3
IRLU3714ZPBF

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