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PHU11NQ10T,127

PHU11NQ10T,127

PHU11NQ10T,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 100V 10.9A IPAK

compliant

PHU11NQ10T,127 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 360 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 57.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-Pak
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

SI2392DS-T1-GE3
IXTH152N085T
IXTH152N085T
$0 $/Stück
RSS070N05TB1
IXFR13N50
IXFR13N50
$0 $/Stück
ZXM64P035L3
SUD35N05-26L-E3
IRFR3707TRL
STD38NH02L-1
SUM70N03-09CP-E3

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