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IRF710STRL

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

IRF710STRL Technisches Datenblatt

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IRF710STRL Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 170 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRFBC40
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PH2030AL,115
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$0 $/Stück
PHU11NQ10T,127
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$0 $/Stück
SI2392DS-T1-GE3
IXTH152N085T
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RSS070N05TB1
IXFR13N50
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ZXM64P035L3

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