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RFD10N05SM

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10A, 50V, N-CHANNEL,

RFD10N05SM Technisches Datenblatt

nicht konform

RFD10N05SM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.61000 $0.61
500 $0.6039 $301.95
1000 $0.5978 $597.8
1500 $0.5917 $887.55
2000 $0.5856 $1171.2
2500 $0.5795 $1448.75
11883 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 50 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

DMP2110UW-7
IRF9530STRLPBF
SUD50P10-43L-E3
NTMFS6H801NT1G
NTMFS6H801NT1G
$0 $/Stück
SIR572DP-T1-RE3
IXTA230N075T2-7
IXTA230N075T2-7
$0 $/Stück
IXTA3N100D2
IXTA3N100D2
$0 $/Stück
SI4838DY-T1-GE3

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