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RFP2N08

RFP2N08

RFP2N08

N-CHANNEL, MOSFET

RFP2N08 Technisches Datenblatt

compliant

RFP2N08 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.25000 $0.25
500 $0.2475 $123.75
1000 $0.245 $245
1500 $0.2425 $363.75
2000 $0.24 $480
2500 $0.2375 $593.75
3360 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.05Ohm @ 2A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SQJ144EP-T1_GE3
FMD40-06KC
FMD40-06KC
$0 $/Stück
SI7450DP-T1-RE3
APTM50SKM19G
NTTFS034N15MC
NTTFS034N15MC
$0 $/Stück
GT025N06D5
SCT2280KEGC11
DMT6009LFG-7

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