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SI3445DV

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P-CHANNEL MOSFET

SI3445DV Technisches Datenblatt

nicht konform

SI3445DV Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.12000 $0.12
500 $0.1188 $59.4
1000 $0.1176 $117.6
1500 $0.1164 $174.6
2000 $0.1152 $230.4
2500 $0.114 $285
33310 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1926 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 800mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

NVTFS4C13NTWG
NVTFS4C13NTWG
$0 $/Stück
SUP85N10-10-E3
IXFH24N60X
IXFH24N60X
$0 $/Stück
TN2540N3-G
STL7LN80K5
STL7LN80K5
$0 $/Stück
PSMN4R3-80ES,127
RQ3G150GNTB

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