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SI3447DV

SI3447DV

SI3447DV

P-CHANNEL MOSFET

SI3447DV Technisches Datenblatt

compliant

SI3447DV Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.15000 $0.15
500 $0.1485 $74.25
1000 $0.147 $147
1500 $0.1455 $218.25
2000 $0.144 $288
2500 $0.1425 $356.25
9000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1926 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 800mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SuperSOT™-6
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

STN3NF06
STN3NF06
$0 $/Stück
NVMYS4D1N06CLTWG
NVMYS4D1N06CLTWG
$0 $/Stück
DMN30H4D0L-13
FQB3N40TM
IXTT24P20
IXTT24P20
$0 $/Stück
IXFA220N06T3
IXFA220N06T3
$0 $/Stück

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