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SI4953DY

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P-CHANNEL POWER MOSFET

SI4953DY Technisches Datenblatt

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SI4953DY Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.9A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 53mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 750pF @ 15V
Leistung - max. 900mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

IRFR220119
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STS1DNF20
STS1DNF20
$0 $/Stück
ECH8601M-P-TL-H
ECH8601M-P-TL-H
$0 $/Stück
FDM2452NZ
FDS9431
APTM20DHM16TG
QJD1210SA1
QJD1210SA1
$0 $/Stück

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