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QJD1210SA1

QJD1210SA1

QJD1210SA1

Powerex Inc.

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

QJD1210SA1 Technisches Datenblatt

compliant

QJD1210SA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 100A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 1.6V @ 34mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 330nC @ 15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8200pF @ 10V
Leistung - max. 520W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer Module
Lieferantengerätepaket Module
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Zugehörige Teilenummer

LN100LA-G
JAN2N7334
SIF912EDZ-T1-E3
APTC90AM60T1G
SP8J62TB1
SP8J62TB1
$0 $/Stück
IRFU024ATU
EFC6618R-A-TF
EFC6618R-A-TF
$0 $/Stück

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