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LN100LA-G

LN100LA-G

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MOSFET 2N-CH 1200V

LN100LA-G Technisches Datenblatt

compliant

LN100LA-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Cascoded)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs 3000Ohm @ 2mA, 2.8V
vgs(th) (max) @ ID 1.6V @ 10µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50pF @ 25V
Leistung - max. 350mW
Betriebstemperatur -25°C ~ 125°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-VFLGA
Lieferantengerätepaket 6-LFGA (3x3)
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Zugehörige Teilenummer

JAN2N7334
SIF912EDZ-T1-E3
APTC90AM60T1G
SP8J62TB1
SP8J62TB1
$0 $/Stück
IRFU024ATU
EFC6618R-A-TF
EFC6618R-A-TF
$0 $/Stück
CMS06NP03Q8-HF
VQ1001P-E3
VQ1001P-E3
$0 $/Stück
FDMC8298
DMN3012LFG-13

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