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JAN2N7334

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MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

JAN2N7334 Technisches Datenblatt

compliant

JAN2N7334 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 4 N-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A
rds ein (max) @ id, vgs 700mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Paket / Koffer 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket MO-036AB
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Zugehörige Teilenummer

SIF912EDZ-T1-E3
APTC90AM60T1G
SP8J62TB1
SP8J62TB1
$0 $/Stück
IRFU024ATU
EFC6618R-A-TF
EFC6618R-A-TF
$0 $/Stück
CMS06NP03Q8-HF
VQ1001P-E3
VQ1001P-E3
$0 $/Stück
FDMC8298
DMN3012LFG-13
GWM160-0055X1-SMD
GWM160-0055X1-SMD
$0 $/Stück

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