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SSU2N60BTU

SSU2N60BTU

SSU2N60BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET

SSU2N60BTU Technisches Datenblatt

nicht konform

SSU2N60BTU Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
1869 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 490 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-PAK
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

CSD17556Q5B
CSD17556Q5B
$0 $/Stück
IRFU214PBF
IRFU214PBF
$0 $/Stück
CSD18512Q5BT
IXFT26N60P
IXFT26N60P
$0 $/Stück
SQJ463EP-T1_GE3
SI7423DN-T1-GE3
IRF630STRRPBF

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